- Модель продукта EMH3T2R
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
-
PDF
Инвентаризация:1983
Технические детали
- Тип монтажа SOT-563, SOT-666
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Смываемый 150mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 50V
- Толщина ленты 300mV @ 250µA, 5mA
- Входной логический уровень - Высокий 100 @ 1mA, 5V
- Тип диода 250MHz
- Длина рукоятки 4.7kOhms
- Максимальное переменное напряжение EMT6