- Модель продукта EMD12T2R
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
-
PDF
Инвентаризация:7900
Технические детали
- Тип монтажа SOT-563, SOT-666
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Смываемый 150mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 50V
- Толщина ленты 300mV @ 500µA, 10mA
- Входной логический уровень - Низкий 500nA
- Входной логический уровень - Высокий 68 @ 5mA, 5V
- Тип диода 250MHz
- Длина рукоятки 47kOhms
- Включенные пакеты 47kOhms
- Максимальное переменное напряжение EMT6
Сопутствующие товары
IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP
Инвентаризация: 19051
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Инвентаризация: 3722
IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP
Инвентаризация: 4749
