Инвентаризация:6318

Технические детали

  • Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 56mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 1.65W (Ta)
  • Барьерный тип 2.7V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN2020MD-6
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 12 nC @ 10 V
  • 435 pF @ 30 V
  • AEC-Q100

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN

Инвентаризация: 35805

MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN

Инвентаризация: 110508

MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP

Инвентаризация: 33201

MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6

Инвентаризация: 34356

Top