Инвентаризация:4062

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 14.6mOhm @ 9.5A, 10V
  • Материал феррулы 2W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 8.3 nC @ 4.5 V
  • 680 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Инвентаризация: 2562

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

Инвентаризация: 1615

MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN

Инвентаризация: 6354

MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Инвентаризация: 11171

MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Инвентаризация: 5000

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3494

Top