- Модель продукта RF4E100AJTCR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13249
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerUDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
- Материал феррулы 2W (Tc)
- Барьерный тип 1.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение HUML2020L8
- Длина ремня 4.5V
- Шаг Количество ±12V
- 30 V
- 13 nC @ 4.5 V
- 1460 pF @ 15 V