- Модель продукта STD11N60DM2
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3395
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 420mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 110W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±25V
- 650 V
- 16.5 nC @ 10 V
- 614 pF @ 100 V