- Модель продукта NE3513M04-T2B-A
- Бренд CEL (California Eastern Laboratories)
- RoHS No
- Описание RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, Flat Leads
- Толщина контактного покрытия 60mA
- Индуктивность 12GHz
- Скорость N-Channel
- Общее сопротивление 125mW
- Площадь (Д x Ш) 13dB
- Функция - Освещение GaAs HJ-FET
- Глубина (дюймы) 0.65dB
- Максимальное переменное напряжение 4-Super Mini Mold
- Длина ножки 4 V
- 2 V
- 10 mA