- Модель продукта NE3503M04-T2B-A
- Бренд CEL (California Eastern Laboratories)
- RoHS No
- Описание RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, Flat Leads
- Толщина контактного покрытия 70mA
- Индуктивность 12GHz
- Площадь (Д x Ш) 12dB
- Функция - Освещение GaAs HJ-FET
- Глубина (дюймы) 0.45dB
- Максимальное переменное напряжение M04
- Длина ножки 4 V
- 2 V
- 10 mA