- Модель продукта APTSM120TAM33CTPAG
- Бренд Microsemi Corporation
- RoHS Yes
- Описание SIC 6N-CH 1200V 112A SP6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа SP6
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 714W
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 112A (Tc)
- Глубина 7680pF @ 1000V
- Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 60A, 20V
- Тип симистора 408nC @ 20V
- Барьерный тип 3V @ 3mA
- Максимальное переменное напряжение SP6