Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 337A (Tc)
• Глубина 23000pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 180A, 20V
• Тип симистора 1224nC @ 20V
• Барьерный тип 3V @ 9mA
• Максимальное переменное напряжение Module