Инвентаризация:32292

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 132mOhm @ 400mA, 8V
  • Материал феррулы 500mW (Ta)
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 3-PICOSTAR
  • Длина ремня 1.8V, 8V
  • Шаг Количество -12V
  • 20 V
  • 0.91 nC @ 10 V
  • 155 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 48323

MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 17447

Top