Инвентаризация:124960

Технические детали

  • Тип монтажа 4-XFBGA, WLCSP
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 3A, 4.5V
  • Материал феррулы 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
  • Барьерный тип 900mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-WLCSP (0.78x0.78)
  • Длина ремня 1.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 12 V
  • 9 nC @ 4.5 V
  • 335 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN

Инвентаризация: 13321

MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN

Инвентаризация: 14053

GANFET N-CH 100V 8.2A DIE

Инвентаризация: 94617

GANFET 2N-CH 100V 5A DIE

Инвентаризация: 5088

Top