- Модель продукта A2T23H160-24SR3
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 28V NI780
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа NI-780S-4L2L
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 2.3GHz
- Скорость Dual
- Общее сопротивление 28W
- Площадь (Д x Ш) 17.7dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение NI-780S-4L2L
- Длина ножки 65 V
- 28 V
- 350 mA