- Модель продукта IPL65R195C7AUMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3477
Технические детали
- Тип монтажа 4-PowerTSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 195mOhm @ 2.9A, 10V
- Материал феррулы 75W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 290µA
- Максимальное переменное напряжение PG-VSON-4
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 23 nC @ 10 V
- 1150 pF @ 400 V