- Модель продукта IPD90N10S4L06ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 6.6mOhm @ 90A, 10V
- Материал феррулы 136W (Tc)
- Барьерный тип 2.1V @ 90µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3-313
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±16V
- 100 V
- 98 nC @ 10 V
- 6250 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Инвентаризация: 2358
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Инвентаризация: 12301
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Инвентаризация: 2719
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Инвентаризация: 8655
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Инвентаризация: 5721
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Инвентаризация: 2421
