- Модель продукта IPD80R2K8CEATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6360
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
- Материал феррулы 42W (Tc)
- Барьерный тип 3.9V @ 120µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 800 V
- 12 nC @ 10 V
- 290 pF @ 100 V