- Модель продукта IPD80R2K7C3AATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5650
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
- Материал феррулы 42W (Tc)
- Барьерный тип 3.9V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA (DPAK)
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 800 V
- 1.5 nC @ 10 V
- 290 pF @ 100 V
- AEC-Q101