- Модель продукта IPB65R660CFDAATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6018
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 660mOhm @ 3.2A, 10V
- Материал феррулы 62.5W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 200µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 20 nC @ 10 V
- 543 pF @ 100 V
- AEC-Q101