- Модель продукта IPB120N04S4L02ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2419
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.7mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 158W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 110µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 40 V
- 190 nC @ 10 V
- 14560 pF @ 25 V
- AEC-Q101