- Модель продукта IPA65R125C7XKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1842
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3 Full Pack
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 125mOhm @ 8.9A, 10V
- Материал феррулы 32W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 440µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO220-FP
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 35 nC @ 10 V
- 1670 pF @ 400 V