- Модель продукта FDB0165N807L
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3137
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 310A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.6mOhm @ 36A, 10V
- Материал феррулы 3.8W (Ta), 300W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 304 nC @ 10 V
- 23660 pF @ 40 V