- Модель продукта STW18N60DM2
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 12A TO247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1604
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 295mOhm @ 6A, 10V
- Материал феррулы 90W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±25V
- 600 V
- 20 nC @ 10 V
- 800 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 800V 23A TO247
Инвентаризация: 62
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Инвентаризация: 643
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Инвентаризация: 314
MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Инвентаризация: 441
