- Модель продукта IPU60R1K5CEAKMA2
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.1A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
- Материал феррулы 49W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 90µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO251-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 9.4 nC @ 10 V
- 200 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 4A/14A TO251A
Инвентаризация: 252
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
Инвентаризация: 3000
MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Инвентаризация: 745
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Инвентаризация: 7101
MOSFET N-CHANNEL 400V
Инвентаризация: 2805
