- Модель продукта IPB60R060C7ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2393
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 15.9A, 10V
- Материал феррулы 162W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 800µA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK (TO-263)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 68 nC @ 10 V
- 2850 pF @ 400 V