- Модель продукта IPD122N10N3GATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:35884
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 59A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 12.2mOhm @ 46A, 10V
- Материал феррулы 94W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 46µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 35 nC @ 10 V
- 2500 pF @ 50 V