Инвентаризация:1510

Технические детали

  • Тип монтажа ISOPLUSi5-PAK™
  • Количество витков Through Hole
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 170W
  • Внутренняя отделка контактов 75V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 120A
  • Глубина 10500pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 5.8mOhm @ 100A, 10V
  • Тип симистора 178nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение ISOPLUS i4-PAC™

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

Инвентаризация: 6174

IGBT 1700V 200A PLUS247-3

Инвентаризация: 50

Top