Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.25W
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 2.9A
• Глубина 1021pF @ 30V
• Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 2.9A, 10V
• Тип симистора 24.2nC @ 10V
• Барьерный тип 1V @ 250µA (Min)
• Максимальное переменное напряжение 8-SO