Инвентаризация:1998

Технические детали

  • Тип монтажа TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 7.5mOhm @ 100A, 10V
  • Материал феррулы 300W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 270µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO262-3
  • Длина ремня 8V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 93 nC @ 10 V
  • 5470 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 195A TO262

Инвентаризация: 960

MV POWER MOS

Инвентаризация: 455

MOSFET N-CH 40V 162A TO262

Инвентаризация: 7652

TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Инвентаризация: 13648

Top