- Модель продукта RQ3E180AJTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:17847
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Ta), 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
- Материал феррулы 2W (Ta), 30W (Tc)
- Барьерный тип 1.5V @ 11mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)
- Длина ремня 2.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±12V
- 30 V
- 39 nC @ 4.5 V
- 4290 pF @ 15 V