Инвентаризация:6366

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.4mOhm @ 11.5A, 10V
  • Материал феррулы 4.8W (Ta), 140W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (5x6)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 60 nC @ 10 V
  • 4570 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 12095

NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,

Инвентаризация: 9376

MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT

Инвентаризация: 7973

Top