- Модель продукта SIHH26N60E-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7306
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 25A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 135mOhm @ 13A, 10V
- Материал феррулы 202W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 8 x 8
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 600 V
- 116 nC @ 10 V
- 2815 pF @ 100 V