- Модель продукта STD110N8F6
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3899
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 80A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 6.5mOhm @ 40A, 10V
- Материал феррулы 167W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 150 nC @ 10 V
- 9130 pF @ 40 V