- Модель продукта CDM22010-650 SL
- Бренд Central Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 10A TO220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1964
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 1Ohm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 2W (Ta), 156W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество 30V
- 650 V
- 20 nC @ 10 V
- 1168 pF @ 25 V