Инвентаризация:18886

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Ta), 40A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 9.7mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Барьерный тип 3.8V @ 36µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8-FL
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 28 nC @ 10 V
  • 2080 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN

Инвентаризация: 11783

MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON

Инвентаризация: 52418

MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN

Инвентаризация: 34216

Top