Инвентаризация:4514

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 48A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 30A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 11mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 100 V
  • 15 nC @ 5 V
  • 1530 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 100V 16A DIE

Инвентаризация: 35335

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

Top