Инвентаризация:13864

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.28W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.5A
  • Глубина 1149pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Тип симистора 26nC @ 10V
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 26024

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Инвентаризация: 25501

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

Инвентаризация: 7734

Top