- Модель продукта IPD50N06S214ATMA2
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4947
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 14.4mOhm @ 32A, 10V
- Материал феррулы 136W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 80µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3-11
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 55 V
- 52 nC @ 10 V
- 1485 pF @ 25 V