Инвентаризация:30438

Технические детали

  • Тип монтажа 4-XFBGA, CSPBGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 75mOhm @ 1A, 4.5V
  • Материал феррулы 500mW (Ta)
  • Барьерный тип 800mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-Microfoot
  • Длина ремня 1.2V, 4.5V
  • Шаг Количество ±5V
  • 20 V
  • 6 nC @ 4.5 V
  • 400 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 5.6V 365MW 2DFN

Инвентаризация: 35787

MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806

Инвентаризация: 113371

Top