- Модель продукта IRF200B211
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6154
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 170mOhm @ 7.2A, 10V
- Материал феррулы 80W (Tc)
- Барьерный тип 4.9V @ 50µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 23 nC @ 10 V
- 790 pF @ 50 V