- Модель продукта STP100N8F6
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 100A TO220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:42936
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 9mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 176W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 100 nC @ 10 V
- 5955 pF @ 25 V