- Модель продукта STH275N8F7-6AG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3454
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 180A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.1mOhm @ 90A, 10V
- Материал феррулы 315W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение H2PAK-6
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 193 nC @ 10 V
- 13600 pF @ 50 V
- AEC-Q101