Инвентаризация:3467

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 4.6mOhm @ 22A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta), 156W (Tc)
  • Барьерный тип 2.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-VSONP (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 43 nC @ 10 V
  • 3840 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON

Инвентаризация: 629

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

Инвентаризация: 12524

Top