Инвентаризация:38143

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.9A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • Материал феррулы 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN1010D-3
  • Длина ремня 1.2V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 12 nC @ 4.5 V
  • 608 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK

Инвентаризация: 4500

MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3

Инвентаризация: 45658

MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3

Инвентаризация: 70201

MOSFET P-CH 45V 8A TO252

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3

Инвентаризация: 8940

Top