- Модель продукта FDMS86350ET80
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2989
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 25A (Ta), 198A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.4mOhm @ 25A, 10V
- Материал феррулы 3.3W (Ta), 187W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 8V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 155 nC @ 10 V
- 8030 pF @ 40 V