Инвентаризация:2707

Технические детали

  • Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.3W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A
  • Глубина 469pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 27mOhm @ 5A, 4.5V
  • Тип симистора 5.4nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate, 5V Drive
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-WSON (2x2)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

Инвентаризация: 17160

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Инвентаризация: 251232

BJT SOT23 300V PNP 0.25W 150C

Инвентаризация: 0

TRANS PNP 300V 0.5A SOT23-3

Инвентаризация: 0

BJT SOT-23 300V 500MA

Инвентаризация: 2288

TRANSISTOR, PNP, -0.5A, -300V, S

Инвентаризация: 11188

TRANSISTOR, PNP, -0.5A, -300V, S

Инвентаризация: 2936

Top