Инвентаризация:4000

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 80V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.4A, 2.6A
  • Глубина 600pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 130mOhm @ 3.4A, 10V
  • Тип симистора 9.2nC @ 5V
  • Тип подключения Logic Level Gate, 4V Drive
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP

Инвентаризация: 5877

Top