Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.8W
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 4.2A
• Глубина 1022pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 4.2A, 10V
• Тип симистора 29.6nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 1V @ 250µA (Min)
• Максимальное переменное напряжение 8-SO