Инвентаризация:2030

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.6A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 4.2A, 10V
  • Материал феррулы 1.9W (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 29.6 nC @ 10 V
  • 1022 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO

Инвентаризация: 12303

MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP

Инвентаризация: 4742

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

Инвентаризация: 13229

Top