- Модель продукта FDMA86151L
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:12644
Технические детали
- Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.3A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 88mOhm @ 3.3A, 10V
- Материал феррулы 2.4W (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 7.3 nC @ 10 V
- 450 pF @ 50 V