- Модель продукта FCD850N80Z
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:17403
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 850mOhm @ 3A, 10V
- Материал феррулы 75W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 600µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 800 V
- 29 nC @ 10 V
- 1315 pF @ 100 V